同光晶体成立于2012年，注册资本1.69亿元，是中科院半导体所的合作单位，专业从事关键芯片材料碳化硅单晶衬底的研发和生产。企业现有职工260余人，2020年销售收入实现近2亿元，是2019年的十几倍。

一、企业基本情况

目前，同光晶体投资建设碳化硅单晶生长炉200余台，搭建了从晶体生长、衬底加工，到品质检测等国际先进、完整的碳化硅衬底生产线，生产能力达到年产6万片。企业自主研发的直径4英寸、6英寸高纯半绝缘型和导电型碳化硅单晶衬底，经专家和客户验证达到了国际先进水平。

同光晶体与中电科十三所、五十五所建立稳定合作关系，成为其主要供货商。企业将高品质产品成功应用到了我国5G基建建设中，打破了国际壁垒，破解了产业发展 “卡脖子”问题，实现了国家芯片关键材料的自主可控。

二、企业实力

同光晶体坚持“核心技术、关键技术企之重器，必须立足自己”的创新理念，走出一条具有同光特色的创新驱动发展道路。企业密切与中科院半导体所合作，深度融合产学研，引进李树深、夏建白、郑厚植院士三名院士，设立院士工作站、博士后科研工作站。2013年与中科院半导体所成立“SiC单晶材料与应用研究联合实验室”。2014年设立院士工作站。2015年企业成为中科院半导体所驻保定市高新区重要成果转化基地，牵头成立“中国电谷第三代半导体产业技术创新战略联盟”。2016年双方深化合作组建“第三代半导体材料联合研发中心”。2017年主导搭建 “第三代半导体材料检测平台”。2016年同光晶体“李树深碳化硅单晶研发创新团队”作为河北省20家高层次创新团队之一，受到河北省委、省政府表彰。

三、企业技术成果

同光晶体自成立以来，潜心沉淀，艰苦攻关，形成具有自主知识产权的完整技术路线，授予专利70项，其中发明专利18项，主持行业标准1项，企业标准2项，多项产品获科技进步奖。在科研项目方面，2014年同光晶体主持国家863“大功率GaN电子器件用大尺寸SiC衬底制备及外延技术研究”课题，2016年参与了国家重点研发计划“中低压SiC材料、器件及在电动汽车充电设备中的应用示范”项目，2019年同光晶体承担国家技术改造工程“直径6英寸碳化硅单晶衬底改造”项目，共3项国家级项目；此外同光晶体还承担省级研究课题10余项，科技成果丰硕。

四、企业中长期规划

一是河北同光科技发展有限公司10万片SiC衬底扩产。2020年3月22日，同光晶体与涞源县政府合作碳化硅单晶衬底项目正式签约，总投资10亿元，建设资金已到位，计划搭建600台单晶生长炉，目前基础设施建设进入到封顶阶段，预计2021年8月份一期投产，全部达产可实现年产4英寸和6英寸衬底10万片，产值15亿元左右。

二是2021年启动2000台单晶炉扩产任务。预计本次总投资40亿元，年产60万片6英寸SiC衬底，年产值达70亿元左右，2025年全部投产，届时同光晶体将成为世界上最重要的碳化硅衬底供应商。

福利

五险一金，法定假日；

免费工作餐；

员工体检；

定期福利；

可提供住宿

联系方式

人力资源部： 孔先生

电 话：0312-3915048

招聘邮箱：zp@synlight.cn